針對不同應用場景,提供最優化的奈米圖案化服務。
針對高效能運算 (HPC) 處理器的核心圖案化服務。透過 High-NA EUV 技術,實現 2nm 以下節點的關鍵層曝光,優化電晶體密度與功耗比。
解決多層堆疊結構中的高深寬比通孔 (TSV) 光刻難題。確保在極端垂直堆疊下的對準精度,提升數據傳輸頻寬與良率。
應用光刻技術製造波導與微環諧振器。針對矽光子應用,提供低損耗、高精度的光學元件圖案化方案,推動光通訊革命。
首台 EUV 系統裝機調試與光學優化
在某全球領先晶圓代工廠的 3nm 產線中,我們透過導入主動式波前補償系統與 OPC 算法優化,成功將關鍵層的疊對誤差降低了 20%,並使整體良率 (Yield) 提升了 15%。
良率提升
誤差降低
技術支援
2025 半導體製造卓越獎