深入探討半導體微縮技術的前沿趨勢與工程挑戰。
隨著摩爾定律進入原子級別，傳統的 FinFET 結構已達到物理極限。我們正在見證垂直堆疊晶體管 (CFET) 與 High-NA EUV 的協同演進。透過將 n 型與 p 型晶體管垂直堆疊，CFET 能夠在不增加面積的情況下提升性能，而 High-NA EUV 則提供了實現這一結構所需的解析度。
閱讀全文為什麼掩模上的圖案看起來不像最終的電路？這是因為光在奈米尺度下的繞射效應。透過 OPC 技術，我們在掩模上預先加入補償圖案，利用計算微影模擬光束在晶圓上的最終成像，確保電路結構的完整性。這是數學與物理的完美結合。
閱讀全文從化學放大 (CAR) 到金屬氧化物光阻 (MOR)，光阻劑的演進是實現 High-NA 曝光的關鍵。MOR 具備更高的吸收率與更小的分子尺寸，能夠有效降低 LER (線邊緣粗糙度)，是 2nm 以下工藝的必備材料。
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