物理參數與系統規格

解析光刻解析度的物理限制與優化路徑。

瑞利解析度公式 (Rayleigh Criterion)

光刻解析度（CD，關鍵尺寸）由光源波長、數值孔徑與工藝因子共同決定。我們透過極致縮減波長與提升 NA，實現奈米級圖案化。

$$CD = k_1 \cdot \frac{\lambda}{NA}$$

其中 \(CD\) 為關鍵尺寸，\(\lambda\) 為波長，\(NA\) 為數值孔徑，\(k_1\) 為工藝因子。

優化路徑
  • 波長縮減：從 DUV (193nm) 躍遷至 EUV (13.5nm)
  • NA 提升：High-NA 系統實現 0.55 NA
  • k1 優化：透過 OPC 與多重圖案化技術

多層膜反射鏡技術 (Bragg Mirrors)

由於 EUV 光會被幾乎所有物質吸收，我們採用鉬/矽（Mo/Si）交替層構成的布拉格反射鏡。每層厚度精確控制在波長的四分之一，實現高達 70% 的反射率。

- Layer Material: Mo/Si Alternating
- Layer Count: 40-50 Pairs
- Peak Reflectivity: ~70% @ 13.5nm

疊對精度 (Overlay Control)

在多層掩模曝光過程中，對準誤差必須控制在極低範圍。我們的系統透過主動式對準補償，將 Overlay 誤差壓低至 1nm 以內。

- Alignment Precision: < 1.0 nm
- Sensor Type: Interferometric
- Feedback Loop: 10kHz Real-time

技術數據表 (System Specs)

參數名稱 規格數值 單位 備註
光源功率 (Source Power) 250 - 500 W Intermediate Focus (IF)
每小時晶圓產出 (WPH) 160 - 220 WPH 300mm Wafer
掃描速度 (Scan Speed) 600 mm/s Reticle Stage
曝光能量穩定性 < 0.1 % 3-sigma
真空室壓強 < 10⁻⁷ Pa Ultra-High Vacuum